Masaüstü tarafındaki SSD sürücülerde, 3D NAND bellek teknolojisi giderek yaygınlaşmaya başladı. Samsung’un büyük yatırımlar yaparak liderliği elinde tuttuğu pazarda, Toshiba, SK Hynix, Micron gibi firmalarda rekabette etkili olmaya çalışıyor. Mobil tarafa baktığımızda da, rekabetin yavaş yavaş ısındığını görüyoruz.

SK Hynix, eMMC 5.1 standardını temel alan 3D NAND bellek modülleri ile, akıllı telefon pazarında bir ilke imza atmıştı. Samsung ise, UFS 2.0 standardını temel aldığı 3D NAND bellek modülleri ile, en hızlı olmayı başarmıştı. Micron ise çıtayı daha da yükseltiyor.

Firma, Flash Bellek Konferansı’nda, mobil cihazlara yönelik olarak hazırladığı 3D NAND flash belleklerini tanıttı. Yeni bellekler ile, hem daha az zar alanı işgal edilecek hem de daha fazla kapasite elde edilebilecek. Micron belleklerin en dikkat çeken tarafı ise, UFS 2.1 standardını temel alacak olması.

Hali hazırda UFS 2.0 standardını mobil depolama belleklerinde ve Samsung’un yeni microSD hafıza kartlarında görüyoruz. 170MB/s yazma hızlarına ulaşabilen bu standardın yeni versiyonunda ise, çıtanın 200MB/s seviyesine kadar çıkması bekleniyor. Yani şimdiye kadar ki en hızlı mobil depolama belleklerine Micron sahip durumda.

Micron bu anlamda ilk olma ünvanını ele geçirse de, ticari olarak üstünlük kuramayacak gibi görünüyor. Firmanın orta ve üst seviye telefonları hedefleyen ilk yongası 32GB kapasiteli olacak. Pazara çıkması ise gelecek yılın sonlarına sarkacak. Bu noktada Samsung’un da UFS 2.1 standardına geçiş yapması ve Galaxy S8 amiral gemi modelinde de kullanması bekleniyor. Diğer üreticilerin de teknolojiyi benimsemesi ile, gelecek yılın ortalarında çok sayıda amiral gemi modelinde ilk örnekleri görebiliriz.

Sonrası Micron 3D NAND Bellekler, Telefonlara Geliyo EN Şirketler Grubu - Danışmanlık, Yazılım, enTİCARİ BULUT ERP, Web Tasarım, Muhasebe Programı, İstanbul, Web Sitesi Paketleri ilk ortaya çıktı.

Micron’un 3D NAND bellek teknolojisine geçişinin ilk adımı olarak görülen Crucial MX300 SSD serisi, kısıtlı bir kapasite ile satışa çıkmıştı. Şimdi yeni seri toplamda 4 adet sürücüden oluşan geniş bir aileye dönüştü.

3D NAND

3D NAND veya dikey NAND bellek olarak adlandırılan bu teknoloji, bellek katmanlarını yan yana değil üst üste istifliyor. Böylece daha az alanda daha fazla kapasitelerin önü açılıyor. Samsung, 3D NAND bellek teknolojisinde önemli mesafeler kat etti ve piyasada pek çok ürünü yer alıyor.

Micron’un 3D NAND bellek teknolojisi, daha yoğun kapasitelere odaklanıyor. Çok seviyeli hücre – MLC modunda, 32 katmanlı tek bir zar üzerinde 256Gbit kapasite mümkün oluyor. Micron, rakip teknolojilerin bu kapasiteye ancak 48 katman ile ulaşabildiğini belirtiyor. Eğer, üç bitlik hücre – TLC yapısı kullanılırsa, kapasite 384Gbit seviyesine çıkıyor. Hücrelerdeki bit yoğunlukları da artırılmış. MLC modunda bit blokları 16MB, TLC modunda ise 24MB boyutunda.

Yoğun kapasitelerin en büyük sebebi ise CMOS Under the Array teknolojisi, Bu teknoloji, zar alanında büyük yer kaplayan mantık hücrelerini alıyor ve zardaki depolama bölümünün tam altına yerleştiriyor. Böylece alandan kazanılmış oluyor. Ayrıca yazma performansında da iyileşme sağlanıyor.

Diğer Yenilikler

Hataların düzeltilmesi konusunda da Micron, yüzen kapı teknolojisini kullanıyor. SK Hynix‘in bir süre denediği ancak verimlilik sağlayamadığı yüzen kapı teknolojisinde, Micron ve Intel uzmanlaşmış durumda. Yüzen kapı teknolojisi, hata düzeltmelerini en aza indiriyor ve böylece fazla enerji harcanmasının önüne geçiyor. Bu da, daha iyi enerji tasarrufu anlamına geliyor. Rakip firmalardan ise daha çok şarj tutma teknolojisine rastlanıyor.

Micron ayrıca, Intel, Phison, SanDisk, SK Hynix gibi firmaların ortaklığında ortaya çıkan Open NAND Flash Interface (ONFi) 4.0 açık kaynak NAND bellek arabirimini kullanıyor. Yeni arabirim, yer yer performansı saniyede 800 milyon transfer seviyesine kadar çıkarıyor. Harcanan güç ise 1.2 volt düzeyinde oluyor.

Micron‘un 32 katmanlı 3D NAND belleği, yatay NAND bellekler ile aynı enerji seviyesini kullanırken, yüzde 30 daha fazla veri transfer edebiliyor. Böylece, NAND belleğin yerleştirildiği bilgisayarların enerji tüketimi de azalıyor. Ayrıca belleklerin 30 000 programlama-silme döngüsü bulunuyor.

Crucial MX300

Crucial MX300 SSD ailesi, firmanın ilk 3D NAND bellek kullandığı seri durumunda. 32 katmanlı 256Gbit NAND bellek modülleri kullanan ailesi 2TB kapasite seviyelerine ulaşabilecek. Yeni nesil Silicon Motion, Inc. SM2258 kontrolcüsü ile 510MB/s yazma ve 530MB/s okuma hızları mümkün oluyor.

Micron, seride 750GB kapasiteli versiyonun satışına başlamıştı. Şimdi ise 275GB, 525GB ve 1TB kapasiteli versiyonlar da piyasaya çıkıyor. 275GB kapasiteli versiyon 65 Pound, 525GB kapasiteli versiyon 120 Pound, 750GB kapasiteli versiyon 176 Pound ve 1TB kapasiteli versiyon 241 Pound olarak belirlenmiş. Ülkemizde 750GB kapasiteli versiyon 800TL civarındaydı. Bu versiyonlar 2.5 inç formatında. M.2 formatındaki versiyonlar ise Ağustos ayında piyasaya sürülecek.

Sonrası Micron Crucial MX 300 SSD Serisi Genişliyor EN Şirketler Grubu - Danışmanlık, Yazılım, enTİCARİ BULUT ERP, Web Tasarım, Muhasebe Programı, İstanbul, Web Sitesi Paketleri ilk ortaya çıktı.

Mevcut SSD modellerinde, üst üste istifleme metodu kullanan 3D NAND bellek kullanımının yaygınlaştığını görüyoruz. Maliyet belirli bir seviyeye indirildiği için, 3D NAND bellekler uzun bir süre daha sistemlerimize konuk olacak. Intel Optane gibi 1000 kat daha hızlı ve daha dayanıklı yeni teknolojiler ise, şimdilik son kullanıcıya ulaşmaktan çok uzak.

BeSang adındaki ABD’li bir üretici ise, sektörü derinden etkileyecek yeni bir teknoloji sunmaya hazırlanıyor. BeSang, 3D yekpare yonga teknolojiisini icat eden ve bunu SK Hynix firmasına lisanslayan küçük bir firma. Bununla birlikte, SK Hynix firmasının yekpare 3D teknolojisini çok yavaş adapte etmesinden memnun kalmamış ve NAND teknolojilerini diğer firmalara da açma kararı almış.

Firmanın pek gündeme gelmeyen çok önemli bir teknolojisi var. 3D Super-NAND adındaki bu bellek teknolojisi, Gbit başına maliyetleri 20 centten 2 cente çekecek kadar büyük bir potansiyele sahip. Şimdiye kadar bu teknolojiyi, SK Hynix neden kullanmadı bilinmiyor. Eğer kullansaydı, muhtemelen Samsung’un yerinde SSD pazarında kendisi lider olabilirdi.

3D Super-NAND teknolojsi, daha yoğun bellek modüllerini, daha az sayıda katmana entegre edebiliyor. Örneğin bugünün üst seviye SSD modellerinde  her bir katmana bir hücre konuyor ve toplamda 48 katmanda 48 hücre elde ediliyor. BeSang ise, sadece 5 katmanda 150 hücre elde etmeyi başarmış. Yani bir katmanda, rakiplerinin 30 katı kadar daha fazla veri depolayabiliyor.

Yoğunluğun yanında, üretim süreçlerinde de adeta bir devrim söz konusu. Normalde 3D NAND belleklerin üretimi 10 haftayı buluyor. BeSang, her katmanı paralel olarak ürettiği için, tam bir hücreyi 5 günde hazır hale getirebiliyor. Bu gerçekten, sektörde devrim yapabilecek bir üretim hızı.

En önemli gelişme ise, teknolojinin dağıtıma hazır olması. Şimdiden 3D Super-NAND teknolojisini lisanslayan firmalar var. Ayrıca bazı firmalar da, BeSang’a 15nm veya 20nm sürecinde sipariş vermeye başlamış. BeSang, en az 30 milyon dolarlık siparişleri değerlendiriyor. Önümüzdeki yıllarda, tek yonga üzerinde 1Tb veri depolamak da mümkün olacak. Böylece, çok daha kapasiteli SSD modelleriyle karşılaşabileceğiz.

3D Super-NAND teknolojisinin ne zaman piyasaya çıkacağı bilinmiyor zira müşterilerin resmi bir açıklaması mevcut değil. Çeşitli optimizasyonları da göz önüne alırsak, en erken 2017 yılının başlarında maliyeti düşük ancak kapasitesi çok yüksek SSD ürünlerini görebiliriz. Belki de, bazı kaynakların beklediği gibi SSD sektörünün HDD sektörünü artık unutturmaya başladığı dönem gelebilir.

Sonrası 3D Super-NAND Teknolojisi, SSD Sektöründe Devrim Yapacak EN Şirketler Grubu - Danışmanlık, Yazılım, enTİCARİ BULUT ERP, Web Tasarım, Muhasebe Programı, İstanbul, Web Sitesi Paketleri ilk ortaya çıktı.

Son dönemde gerek grafik kartı tarafında olsun gerek mobil yonga tarafında olsun iki devin ismini sıkça duymaktayız. Yonga dökümü konusunda kıyasıya bir rekabet içerisinde olan Samsung ve TSMC, daha yeni teknolojilerle birbirinden pay kapma mücadelesi veriyor.

Kapasite anlamında sektörün en iyisi olan Samsung, pazar payı anlamında ise TSMC’nin kat kat gerisinde. Bununla birlikte sürekli yeniliklere yatırım yapıyor ve önemli ihalelerde TSMC’nin önüne geçmeyi başarıyor. Örneğin uzun dönemli müşterisi Qualcomm’un Snapdragon 820 yonga setini kapması, sektörde büyük ses getirmişti.

Önümüzdeki yıl, her iki firmanın da 10nm fabrikasyon sürecinde üretim yapması bekleniyor. Süreç aynı olduğu için, üretim bantlarında sunulacak optimizasyonlar, müşterilerin tercihinde de büyük rol oynayacak. Samsung, bu anlamda önemli bir teknolojiye geçiş yapıyor.

Fan-out Wafer-level Packaging (FoWLP) adını taşıyan yeni üretim teknolojisi, TSMC’nin de bir süredir entegrasyonu üzerinde çalıştığı ve yıl sonuna yetiştirmeyi planladığı bir teknoloji. Son dönemde HBM,3D NAND gibi çeşitli örneklerini gördüğümüz modül istifleme teknolojisini temel alan FoWLP, yongaları yan yana getirerek elektrik iletimini alt katman ile sağlıyor. Rakip teknolojilerde ise yongalar üst üste getirilerek ince kablolar ile elektrik iletimi mümkün oluyor. Ayrıca bir baskılı devre kartı da gerektirmiyor.

Bu teknolojinin avantajları arasında aynı ısı değerinde daha fazla performans elde edilebilmesi, bağlantı yongalarının daha verimli çalışması, maliyetli olan ek silikon ara bağlantılara ihtiyaç kalmaması ve daha ince yapılara imkan sağlanması yer alıyor. FoWLP ile bir akıllı telefonda yaklaşık 0.3mm incelmenin sağlanabileceği ifade ediliyor.

Samsung’un yeni teknolojiyi ne zaman entegre edeceği açıklanmadı ancak en erken gelecek yılın başlarında olması bekleniyor. Yeni nesil Snapdragon ve Exynos yonga setlerinde bu teknolojiyi görebiliriz. TSMC tarafında da Apple 10 yonga setinde FoWLP kullanılması ihtimali mevcut.

Sonrası Samsung, yeni bir üretim teknolojisi üzerinde çalışıyor EN Şirketler Grubu - Danışmanlık, Yazılım, enTİCARİ BULUT ERP, Web Tasarım, Muhasebe Programı, İstanbul, Web Sitesi Paketleri ilk ortaya çıktı.